『2024年的晶圓廠設備支出將受到HPC、汽車半導體的提振。』

全球晶圓廠前端設施設備支出預計將從 2022 年創(chuàng)紀錄的 980 億美元同比下降 22% 至 2023 年的 760 億美元。SEMI在其最新的季度世界晶圓廠預測報告中宣布，到 2024 年同比增長 21% 至 920 億美元。2023 年的下降將源于芯片需求疲軟以及消費和移動設備庫存增加。

半導體制造業(yè)似乎在幾個月內發(fā)生了翻天覆地的變化，多個晶圓廠的建設和擴張放緩或推遲。

美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“我們大幅削減了資本支出，現(xiàn)在預計 2023 財年資本支出約為 80 億美元，同比下降 30% 以上。WFE 資本支出將同比下降近 50%，這反映出我們的 1-beta DRAM 和 232 層 NAND 的增長速度與之前的預期相比要慢得多。”

其他內存供應商也將效仿三星和鎧俠宣布削減價格、晶圓開工或制造設備支出。值得注意的是，美光和其他公司將繼續(xù)建造晶圓廠設施，并保持現(xiàn)有的 EUV 訂單到位。他們將大大推遲在 DUV 和其他制造工具上的設備支出。NAND 與 DRAM 行業(yè)的支出概況和削減程度將有所不同。

在英特爾方面，隨著業(yè)務大幅放緩，英特爾是否會削減產能擴張支出存在許多疑問。不過，供應鏈已經傳出供應商被取消訂單。

轉向臺積電這個行業(yè)巨頭，由于2023年第一季度 7nm 晶圓的產能過剩，他們正在放緩建設步伐。3nm 節(jié)點的擴展也非常緩慢。與之前的計劃相比，N3 的擴建計劃要溫和得多。

三星也在大幅削減擴建。這不僅與存儲有關。這是由于移動領域的大幅放緩、代工和系統(tǒng) LSI 的份額損失。特別是，三星向平澤 P3晶圓廠設備的擴張正在放緩。值得注意的是，三星的 3nm 節(jié)點沒有真正的旗艦 Exynos 產品。即使是 2024 年的旗艦智能手機芯片 Exynos 2400，仍然基于其較舊的 4nm 級技術。奇怪的是，盡管封裝行業(yè)的放緩程度遠大于晶圓級制造行業(yè)，但三星仍在越南新工廠接手晶圓級封裝設備的訂單。

2024年的晶圓廠設備支出復蘇將在一定程度上受到 2023 年半導體庫存調整結束以及高性能計算 (HPC) 和汽車領域對半導體的需求增強的推動。

SEMI的總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha 表示：“本季度的 SEMI 世界晶圓廠預測更新提供了我們對 2024 年的初步展望，強調了全球晶圓廠產能的穩(wěn)步擴張，以支持由汽車和計算領域以及一系列新興應用推動的未來半導體行業(yè)增長?！?。報告指出，明年設備投資將健康增長 21%。

中國臺灣繼續(xù)引領設備支出

預計中國臺灣將在 2024 年保持全球晶圓廠設備支出的領先地位，投資額為 249 億美元，同比增長 4.2%，其次是韓國，為 210 億美元，同比增長 41.5%。雖然預計中國將在 2024 年在全球設備支出中排名第三，但美國的出口管制預計會將該地區(qū)的支出限制在 160 億美元，與該地區(qū) 2023 年的投資相當。 

預計美洲仍將是第四大支出地區(qū)，到 2024 年的投資將達到創(chuàng)紀錄的 110 億美元，同比增長 23.9%。預計明年歐洲和中東地區(qū)的投資也將創(chuàng)下紀錄，支出將增加 36%，達到 82 億美元。日本和東南亞的晶圓廠設備支出預計到 2024 年將分別增至 70 億美元和 30 億美元。

晶圓代工業(yè)務繼續(xù)引領半導體行業(yè)擴張

涵蓋 2022 年至 2024 年的 SEMI World Fab Forecast報告顯示，繼 2022 年增長 7.2% 之后，今年全球半導體行業(yè)產能增長 4.8%。預計 2024 年產能將繼續(xù)增長，大約增長 5.6%。

隨著越來越多的供應商提供代工服務以增加全球產能，預計代工部門將在 2023 年引領半導體擴張，投資額為 434 億美元，同比下降 12.1%，2024 年為 488 億美元，增長 12.4%。盡管同比下降 44.4% 至 171 億美元，但預計 2023 年將在全球支出中排名第二，明年投資將增至 282 億美元。

與其他細分市場不同，在汽車市場穩(wěn)定增長的推動下，模擬和電源將穩(wěn)步擴張，預計 2023 年支出將增長 1.3% 至 97 億美元。該部門的投資預計明年將保持平穩(wěn)。

3月份發(fā)布的SEMI World Fab Forecast的最新報告列出了全球 1470 條設施和生產線，其中包括 142 條預計在 2023 年或之后開始生產的不同類型的設施和生產線。